Intel es uno de los grandes en lo que a unidades SSD se refiere y parece que no quiere que otros le quiten ese rango, por lo que ya tiene lista la tercera generación de sus SSD, la cual se basará en chips NAND MLC fabricados con un proceso de 25nm.
En un artículo de Anandtech explican que el esquema de los nombres será muy parecido al actual para ayudar a los posibles compradores, así pues, existirán los modelos X25-M G3 para el usuario doméstico y los modelos X25-E G3 para los usuarios empresariales o los más entusiastas. La diferencia entre los modelos será esa G3 del final que indica justamente que se trata de sus SSD de tercera generación.
Entre otras cosas, con el cambio de generación veremos un importante aumento de capacidad, además de un pequeño aumento de velocidad de lectura y un gran incremento en la velocidad de escritura, tanto secuencialmente como sobre todo a nivel de acceso y escritura de forma aleatoria, además de mejorar su tiempo de vida, la pega es un aumento del consumo de los nuevos SSD. Lo podemos ver todo fácilmente en las siguientes tablas resumen, una para los modelos de gama media y otra para los de gama alta:
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Otras novedades que incorpora esta tercera generación es la inclusión de soporte para cifrado AES-128 y la presencia de la off-controller DRAM, una especie de caché que permitirá acceder o grabar más rápidamente los datos. Citan que las dos primeras generaciones de sus SSD no incluyeron esta característica para evitar las habituales pérdidas de datos de cualquier dispositivo de almacenamiento con caché. Con la G3 parece que básicamente le han puesto unos chips de memoria DRAM como caché de gran tamaño y los han provisto de unos condensadores suficientemente grandes para dar tiempo a que los datos se guarden.
Los nuevos SSD de Intel deberían llegar al mercado entre a finales de este año y a principios de 2011.
(20-April-2010
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